Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Boussoum O$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
1. |
Boussoum O. Effect of the Annealing Gas and RF Power Sputtering in the Electrical, Structural and Optical Properties of ITO Thin Films [Електронний ресурс] / O. Boussoum, M. S. Belkaid, C. Renard, G. Halais, F. Farhati // Journal of nano- and electronic physics. - 2019. - Vol. 11, no. 2. - С. 02010-1-02010-7. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnep_2019_11_2_12 Запропоновано дослідити вплив нагрівання газу та RF потужності розпилення на електричні, структурні й оптичні властивості тонких плівок оксиду індію для застосувань у сонячних елементах. Ці тонкі плівки готували на слаболегованій кремнієвій пластині за допомогою методу RF-розпилення у середовищі Ar за кімнатної температури і тиску <$E8~cdot~10 sup -3> мбар. Параметри процесу, такі як RF потужність і відпал після осадження, змінювалися для того, щоб визначити їх залежність від електричних, структурних і оптичних властивостей тонких плівок ІТО. Морфологію та вимірювання товщини шару (з поперечним перерізом) досліджували за методом скануючої електронної мікроскопії, а для визначення шорсткості поверхні застосовували атомну силову мікроскопію. Залежність питомого опору, рухливості та концентрації носіїв цих плівок досліджували за допомогою ефекту Холла шляхом зміни RF потужності та термічного відпалу. Спектроскопічна еліпсометрія також використовувалася для визначення показника заломлення, товщини, шорсткості, пористості та оптичної ширини забороненої зони плівок. Таким чином, оптичний коефіцієнт пропускання у видимій області виявився вище 85 %; низький питомий опір і висока рухливість становили, відповідно, <$E2,09~cdot~10 sup -4> Ом-см і 35,81 cm<^>2/(V-s) для товщини зразка 200 нм. RF потужності 150 Вт, і відпалу за <$E400~symbol Р roman C> протягом 10 хв за швидкого термічного відпалу під дією N2. Рентгенівська дифракція тонких плівок показала кращу орієнтацію вздовж напряму (222), яка забезпечує високу ступінь кристалічності для всіх відпалених N2 зразків. Рентгенівська фотоелектронна спектроскопія використовувалася для визначення станів окиснення та елементного вмісту у плівках. Наведено результати морфології поверхні, електричні та оптичні властивості плівки ITO.
|
|
|